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申请/专利权人：江苏汉印机电科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种碳化硅气相外延室，涉及半导体技术领域，旨在解决碳化硅气相外延室内壁附着颗粒物导致外延生长效果差的技术问题，包括气相基座，本发明通过在气相基座上设置滑移机构，在滑移机构上设置外延生长机构，将外延生长机构设置为螺旋状的第一反应壳体及第二反应壳体，使得壳体通过合离机构与滑移机构实现合并构成筒形生长腔用于碳化硅外延生长状态，旋离形成分离的两个反应壳体构成生长腔内壁清理状态，本发明通过螺旋分离的设计，生长腔可以轻松拆分为两部分，使得内壁的清理工作变得简单快捷，减少内壁附着的颗粒物杂质对外延层生长过程的影响，从而提高外延层的纯度和质量，同时减少清理难度，提高设备维护的效率。
主权项：1.一种碳化硅气相外延室，其特征在于，包括气相基座1，所述气相基座1上设有滑移机构2，所述滑移机构2上设有外延生长机构3，所述气相基座1上位于所述外延生长机构3底端的位置设有合离机构4，所述外延生长机构3内部布置有膨胀材料5，所述膨胀材料5内部还布置有若干密封机构6；所述外延生长机构3包括第一反应壳体301、第二反应壳体302、助旋组件303、密封腔304及生长腔305，所述第一反应壳体301设于所述滑移机构2一端，所述第二反应壳体302设于所述滑移机构2另一端，所述第一反应壳体301活动连接于所述第二反应壳体302上，所述密封腔304开设于所述第一反应壳体301及所述第二反应壳体302上，所述助旋组件303、所述膨胀材料5及所述密封机构6均设于所述密封腔304上；其中，所述第一反应壳体301及所述第二反应壳体302均呈螺旋状，所述第一反应壳体301与所述第二反应壳体302内壁配合形成筒状的所述生长腔305。
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百度查询： 江苏汉印机电科技股份有限公司 一种碳化硅气相外延室
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