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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明公开了一种范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器及其制备方法，该范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器的制备方法包括如下步骤：S1.利用钙钛矿前驱体溶液，通过逆温结晶法制备钙钛矿块状单晶；S2.研磨钙钛矿块状单晶，并压片制成钙钛矿单晶压片；S3.利用热缓释材料在钙钛矿单晶压片上制备热缓释层；S4.在热缓释层上蒸镀电极，再利用热分解法去除热缓释层，即得范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器；所述热缓释材料为质量百分数1wt.％‑5wt.％的聚碳酸丙烯酯溶液。本发明的制备方法大大缩短了卤化物杂化钙钛矿单晶的制备周期，使制得的大量卤化物杂化钙钛矿单晶的厚度和形状统一，且利用该方法制备的忆阻器具有低能耗的优点。
主权项：1.一种范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.利用钙钛矿前驱体溶液，通过逆温结晶法制备钙钛矿块状单晶；S2.研磨钙钛矿块状单晶，并压片制成钙钛矿单晶压片；S3.利用热缓释材料在钙钛矿单晶压片上制备热缓释层；S4.在热缓释层上蒸镀电极，再利用热分解法去除热缓释层，即得范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器；所述热缓释材料为质量百分数1wt.％-5wt.％的聚碳酸丙烯酯溶液。
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权利要求：
百度查询： 中山大学 一种范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器及其制备方法
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