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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括以下步骤：提供衬底；于所述衬底的顶面上形成堆叠层，以及沿第一方向贯穿所述堆叠层且暴露所述衬底的第一沟槽，所述第一方向垂直于所述衬底的顶面；于所述第一沟槽内形成半导体块；去除所述堆叠层并于所述半导体块中形成多个第二沟槽，多个所述第二沟槽将所述半导体块分隔为沿所述第一方向间隔排布的多个半导体层。本公开减少了半导体结构内部的应力等缺陷，提高了半导体层的纯度，从而改善了半导体结构的电性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；于所述衬底的顶面上形成堆叠层，以及沿第一方向贯穿所述堆叠层且暴露所述衬底的第一沟槽，所述第一方向垂直于所述衬底的顶面；于所述第一沟槽内形成半导体块；去除所述堆叠层并于所述半导体块中形成多个第二沟槽，多个所述第二沟槽将所述半导体块分隔为沿所述第一方向间隔排布的多个半导体层。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法
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