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申请/专利权人：麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要：本申请涉及微机电技术领域，公开了一种MEMS谐振器频率调整方法，应用于含有1阶、2阶正TCF系数的MEMS谐振器，包括：获取MEMS谐振器的目标信息且确定所述MEMS谐振器的目标模态后，在所述MEMS谐振器的堆叠结构层中形成至少一层正TCF调节层；调整所述正TCF调节层的厚度，且测算所述MEMS谐振器的1阶TCF系数是否为第一目标值，若否，则重复调整所述正TCF调节层的厚度，直至所述1阶TCF系数为所述第一目标值；基于所述1阶TCF系数为所述第一目标值，测算所述MEMS谐振器的2阶TCF系数，且调整所述2阶TCF系数为第二目标值；获得所述MEMS谐振器的目标TCF曲线。本申请提高MEMS谐振器的频率稳定性。
主权项：1.一种MEMS谐振器频率调整方法，应用于含有1阶、2阶正TCF系数的MEMS谐振器，其特征在于，包括：获取MEMS谐振器的目标信息且确定所述MEMS谐振器的目标模态后，在所述MEMS谐振器的堆叠结构层中形成至少一层正TCF调节层；调整所述正TCF调节层的厚度，且测算所述MEMS谐振器的1阶TCF系数是否为第一目标值，若否，则重复调整所述正TCF调节层的厚度，直至所述1阶TCF系数为所述第一目标值；基于所述1阶TCF系数为所述第一目标值，测算所述MEMS谐振器的2阶TCF系数，且调整所述2阶TCF系数为第二目标值；获得所述MEMS谐振器的目标TCF曲线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司 MEMS谐振器频率调整方法
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