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申请/专利权人：西安格易安创集成电路有限公司
摘要：本发明提供了一种晶圆去边方法、沉积去边方法以及装置，涉及半导体技术领域，该晶圆去边方法包括如下步骤：控制晶圆呈第一转速转动；将溶胶喷向晶圆的中心处，使得溶胶与晶圆同步转动，利用离心力将溶胶涂覆到晶圆上形成涂胶层；去除位于晶圆的边缘区上的涂胶层，并将被剥离的涂胶层从晶圆上清除；刻蚀晶圆的边缘区形成减薄边缘区。本发明通过控制晶圆呈第一转速转动，当溶胶喷向晶圆的中心时，溶胶会随着晶圆同步转动，并在离心力的作用下由晶圆的中心向晶圆的边缘扩散，从而将溶胶均匀地涂覆在晶圆上形成涂胶层。并且通过去除位于晶圆的边缘区上的涂胶层，并将剥离的涂胶层从晶圆上清除，能够避免溶胶堆积的问题，从而提高了晶圆的质量。
主权项：1.一种晶圆去边方法，其特征在于，包括如下步骤：控制晶圆呈第一转速转动；将溶胶喷向所述晶圆的中心处，使得溶胶与所述晶圆同步转动，利用离心力将所述溶胶涂覆到所述晶圆上形成涂胶层；去除位于所述晶圆的边缘区上的所述涂胶层，并将被剥离的所述涂胶层从所述晶圆上清除；刻蚀所述晶圆的边缘区形成减薄边缘区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安格易安创集成电路有限公司 晶圆去边方法、沉积去边方法以及装置
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