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申请/专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
摘要：用于半导体晶片的制造方法，该半导体晶片包括硅和III‑N层，所述半导体晶片具有上部层区域和下部层区域，上部层区域具有上侧，下部层区域具有下侧，其中，下部层区域包括硅层，半导体晶片具有至少1.2mm的总厚度，半导体晶片沿着总厚度被划分为上部层区域和下部层区域，上部层区域具有环绕的边缘区域，下部层区域具有第二最大直径，在上部层区域与下部层区域之间构造有附接区域，其中，附接区域具有第三直径，并且第三直径小于第一最大直径，所述方法具有：在上部层区域上制造具有构造的III‑N层的氮化物层，在上部层区域处产生环绕的棱边圆形的或者倒角的边缘区域，并且这样加工下部层区域。
主权项：1.用于半导体晶片10的制造方法，所述半导体晶片具有硅并且具有III-N层，所述半导体晶片具有上部层区域OSB和下部层区域USB，所述上部层区域具有上侧OS，所述下部层区域具有下侧US，其中，所述下部层区域USB包括硅层SIS或者由硅层构成，所述半导体晶片10具有至少1.2mm的总厚度GD并且片状地构造，所述半导体晶片10沿着所述总厚度GD被划分为所述上部层区域OSB和所述下部层区域USB，所述上部层区域OSB具有环绕的边缘区域RB，所述上部层区域OSB具有至少145mm的第一最大直径DM1，并且所述上部层区域OSB具有大于30μm且小于950μm的厚度，所述下部层区域USB具有第二最大直径DM2，在所述上部层区域OSB与所述下部层区域USB之间构造有附接区域ASB，其中，所述附接区域ASB具有第三直径并且所述第三直径小于所述第一最大直径DM1，在所述上部层区域OSB处产生环绕的棱边圆形的或者倒角的边缘区域RB，其中，所述边缘区域RB沿着所述上部层区域OSB的整个厚度D1延伸，在所述上部层区域OSB上制造具有构造的III-N层的氮化物层NSB，这样加工所述下部层区域USB，使得所述第二最大直径DM2相应于所述第一最大直径DM1或者所述第二最大直径DM2变得与所述第一最大直径DM1不同，所述第三直径构造为小于所述第二最大直径DM2或者等于所述第二最大直径DM2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 用于具有硅并且具有III-N层的半导体晶片的制造方法
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