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申请/专利权人：华润微电子(重庆)有限公司
摘要：本发明提供一种分裂栅型沟槽碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括：衬底层；依次层叠设置于衬底层上漂移区和电流传输层，电流传输层内形成有分裂栅槽，分裂栅槽的内表面形成有栅氧化层，以及于分裂栅槽内填充的栅电极和虚栅电极，栅电极与虚栅电极之间通过极间隔离层间隔，环绕分裂栅槽形成有源极接触区，分裂栅槽邻近栅电极的一侧形成有第二导电类型的体区，体区的顶面与源极接触区接触，分裂栅槽邻近虚栅电极的一侧设置有第一导电类型的嵌入层，嵌入层邻接栅氧化层而形成为半包围分裂栅槽。本发明减小了栅漏与栅源之间的寄生电容，开关速度更快，抑制了器件内寄生体二极管的导通，实现反向续流，明显降低了器件的导通损耗。
主权项：1.一种分裂栅型沟槽碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底层；依次层叠设置于所述衬底层上第一导电类型的漂移区和第一导电类型的电流传输层，所述电流传输层内形成有分裂栅槽，所述分裂栅槽的内表面形成有栅氧化层，以及于所述分裂栅槽内填充的栅电极和虚栅电极，所述栅电极与所述虚栅电极之间通过极间隔离层间隔，所述分裂栅槽邻近所述栅电极的一侧形成有第二导电类型的体区，环绕所述分裂栅槽形成有源极接触区，所述体区的顶面与所述源极接触区接触，所述分裂栅槽邻近所述虚栅电极的一侧设置有第一导电类型的嵌入层，所述嵌入层邻接栅氧化层而形成为半包围所述分裂栅槽；所述电流传输层上依次层叠设置的层间介质层和正面金属层，所述正面金属层包括源电极和栅电极引出端，并且所述正面金属层填充贯穿所述层间介质层的电极接触孔，所述源电极与所述虚栅电极电性相连，所述衬底层的背面设置有漏电极。
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权利要求：
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