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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及高性能可控硅整流器SCR器件和制造方法。该结构包括：第一阱，其位于半导体衬底中；第二阱，其位于半导体衬底中且与第一阱相邻；多个浅沟槽隔离结构，其延伸到第一阱和第二阱中；以及深沟槽隔离结构，其位于多个浅沟槽隔离结构之间，并且延伸到半导体材料中比多个浅沟槽隔离结构更深。
主权项：1.一种结构，包括：第一阱，其位于半导体衬底中；第二阱，其位于所述半导体衬底中且与所述第一阱相邻；多个浅沟槽隔离结构，其延伸到所述第一阱和所述第二阱中；以及深沟槽隔离结构，其位于所述多个浅沟槽隔离结构之间，并且延伸到所述半导体材料中比所述多个浅沟槽隔离结构更深。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 高性能可控硅整流器器件
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