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申请/专利权人：深圳众诚达应用材料股份有限公司
摘要：本发明提供一种反应等离子体沉积镀膜用的ICO靶材及其制备方法，属于靶材制备技术领域。该ICO靶材包含In、Ce以及X的氧化物，所述In、Ce、X的原子比为95～991～50.001～0.5；其中，所述X选自除Ce以外的镧系稀土元素中的至少一种；所述ICO靶材具有疏松多孔结构，并且相对密度为55～65％。本发明ICO靶材通过共掺杂铈和其他镧系稀土元素，可以显著提升ICO靶材制备的透明导电氧化物薄膜的迁移率和平均透过率。因此，本发明提供的ICO靶材可以兼具透光性好和电导率高。
主权项：1.一种反应等离子体沉积镀膜用的ICO靶材，其特征在于，包含In、Ce以及X的氧化物，所述In、Ce、X的原子比为95～991～50.001～0.5；其中，所述X选自除Ce以外的镧系稀土元素中的至少一种；所述ICO靶材具有疏松多孔结构，并且相对密度为55～65％。
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