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申请/专利权人：先导薄膜材料(广东)有限公司
摘要：本发明属于热电材料技术领域，公开了一种回收废碲铋合金晶棒制备P型Bi2Te3基热电材料的方法。所述制备方法为：将理论组成为BixSb2‑xTe3，x＝0.32～0.48的废碲铋合金晶棒经清洗烘干，然后测试其电导率和塞贝克系数，对比不同Bi含量的标准样品，反向推测出该碲铋合金试样的Bi含量范围值；以Bi含量x＝0.40为基准，将Bi含量在不同范围内的废碲铋合金棒理论计算成最优比例，组合重新进行熔炼冷淬、粉碎筛分、热压烧结成合金锭，得到高性能的P型Bi2Te3基热电材料。本发明采用废碲铋合金晶棒通过互补晶棒调整成分比例，再次制备出高性能热电材料晶棒，具有生产成本低、废料回收利用率高的优势。
主权项：1.一种回收废碲铋合金晶棒制备P型Bi2Te3基热电材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：1将理论组成为BixSb2-xTe3，x＝0.32～0.48的废碲铋合金晶棒经清洗烘干，得到干净的废碲铋合金棒；2对干净的废碲铋合金晶棒进行部分抽检，进行电性能检测，以电导率和塞贝克系数的具体数值，对比碲铋合金的标准数据，反向推导出该废碲铋合金晶棒的Bi含量范围值，并且分为以下四种：①电导率＝1096～1169S·cm-1，塞贝克系数＝172～184μV·K-1，BixSb2-xTe3中Bi含量x＝0.32～0.36；②电导率＝947～1095S·cm-1，塞贝克系数＝185～205μV·K-1，BixSb2-xTe3中Bi含量x＝0.36～0.40；③电导率＝891～946S·cm-1，塞贝克系数＝205～208μV·K-1，BixSb2-xTe3中Bi含量x＝0.40～0.44；④电导率＝646～890S·cm-1，塞贝克系数＝209～225μV·K-1，BixSb2-xTe3中Bi含量x＝0.44～0.48；3以Bi含量x＝0.4为基准，将Bi含量在不同范围内的废碲铋合金棒理论计算成最优比例，组合后重新进行熔炼冷淬、粉碎筛分、热压烧结成合金锭，得到高性能的P型Bi2Te3基热电材料。
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