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申请/专利权人：深圳大学
摘要：本发明公开了一种互补J‑FET氮化镓反相器及其制备方法和电源适配器，涉及半导体器件技术领域，所述互补J‑FET氮化镓反相器的制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底的一侧设置n‑GaN层以及p‑GaN层，所述n‑GaN层以及p‑GaN层均叠设于所述衬底上；在所述n‑GaN层内部的两个局部区域设置两个内嵌式p‑GaN层，在所述p‑GaN层内部的两个局部区域设置两个内嵌式n‑GaN层。其中，将n‑GaN层内嵌于p‑GaN层内部且将p‑GaN层内嵌于n‑GaN层内部，在相同的沟道长度下，使得沟道宽度进一步提升，降低了功耗；同时缩小了沟道的长度，提高了反相器的集成度。
主权项：1.一种互补J-FET氮化镓反相器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、提供一衬底；S20、在所述衬底的一侧设置n-GaN层以及p-GaN层，所述n-GaN层以及p-GaN层均叠设于所述衬底上；S30、在所述n-GaN层内部的两个局部区域设置两个内嵌式p-GaN层，在所述p-GaN层内部的两个局部区域设置两个内嵌式n-GaN层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 一种互补J-FET氮化镓反相器及其制备方法和电源适配器
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