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申请/专利权人：广东先导稀材股份有限公司
摘要：本发明属于太阳电池制备技术领域，公开了一种硅异质结太阳电池及其制备方法，该硅异质结太阳电池，包括基底、在基底正面生长的第一薄膜层和在基底背面生长的第二薄膜层，所述第一薄膜层包括在基底正面依次生长的非晶硅薄膜、掺磷非晶硅薄膜、载流子浓度为3‑10e20cm‑3的第一TCO薄膜、载流子浓度为1‑2e20cm‑3的第二TCO薄膜、载流子浓度为0.5‑1e20cm‑3的第三TCO薄膜。本发明通过基底正面沉积的三层不同载流子浓度的第一TCO薄膜、第二TCO薄膜、第三TCO薄膜组成的TCO薄膜结构，可以有效满足TCO薄膜结构的透光性要求和电学传输性能要求，有效提高硅异质结太阳电池性能。
主权项：1.一种硅异质结太阳电池，其特征在于，包括基底、在基底正面生长的第一薄膜层和在基底背面生长的第二薄膜层，所述第一薄膜层包括在基底正面依次生长的非晶硅薄膜、掺磷非晶硅薄膜、载流子浓度为3-10e20cm-3的第一TCO薄膜、载流子浓度为1-2e20cm-3的第二TCO薄膜、载流子浓度为0.5-1e20cm-3的第三TCO薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东先导稀材股份有限公司 一种硅异质结太阳电池及其制备方法
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