龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及半导体器件，涉及半导体技术领域，用于提升氮化镓基高电子迁移率晶体管的抗单粒子烧毁能力。所述氮化镓基高电子迁移率晶体管包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、栅极、源极、漏极和N型电场调节层。沿衬底的厚度方向，缓冲层、沟道层和势垒层依次层叠设置于衬底上。栅极形成在势垒层上。源极和漏极间隔设置在栅极的两侧。源极至少贯穿势垒层，漏极贯穿势垒层、沟道层和至少部分缓冲层。N型电场调节层设置在缓冲层内，N型电场调节层的材料不同于缓冲层的材料、且N型电场调节层与漏极接触。本发明提供的半导体器件包括上述氮化镓基高电子迁移率晶体管。
主权项：1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底；沿所述衬底的厚度方向，依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；形成在所述势垒层上的栅极；间隔设置在所述栅极两侧的源极和漏极；所述源极至少贯穿所述势垒层，所述漏极贯穿所述势垒层、所述沟道层和至少部分所述缓冲层；设置在所述缓冲层内的N型电场调节层，所述N型电场调节层的材料不同于所述缓冲层的材料、且所述N型电场调节层与所述漏极接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号