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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：本公开涉及具有氮化钽缓冲层以提高热稳定性的铱锰基隧道磁阻感测元件。一种隧道磁阻TMR感测元件包括层堆叠体，该层堆叠体具有氮化钽TaN层；参考层系统；具有无磁磁化的无磁层；以及被布置在参考层系统与无磁层之间的隧道阻挡层。参考层系统包括：具有固定钉扎磁化的钉扎层；具有固定参考磁化的参考层；被布置在钉扎层与参考层之间的耦合中间层；以及包括铱锰IrMn的天然反铁磁NAF层，其中NAF层被形成为与TaN层直接接触，其中NAF层被配置为将固定钉扎磁化保持在第一磁取向并且将固定参考磁化保持在第二磁取向，并且其中NAF层与TaN层的直接接触增加了NAF层的阻隔温度。
主权项：1.一种具有层堆叠体的隧道磁阻TMR感测元件，所述层堆叠体包括：氮化钽TaN层；参考层系统，包括：钉扎层，具有固定钉扎磁化；参考层，具有固定参考磁化；耦合中间层，被布置在所述钉扎层与所述参考层之间；以及天然反铁磁NAF层，包括铱锰IrMn，其中所述NAF层被形成为与所述TaN层直接接触，其中所述NAF层被配置为将所述固定钉扎磁化保持在第一磁取向并且将所述固定参考磁化保持在第二磁取向，并且其中所述NAF层与所述TaN层的所述直接接触增加了所述NAF层的阻隔温度；无磁层，具有无磁磁化，其中所述无磁磁化在存在外部磁场的情况下是可变的；以及隧道阻挡层，被布置在所述参考层系统与所述无磁层之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 具有氮化钽缓冲层以提高热稳定性的铱锰基隧道磁阻感测元件
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