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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：本公开涉及包括沟槽晶体管基元单元的半导体装置。提出一种半导体装置。半导体装置包括：半导体主体，包括沟槽晶体管基元阵列。沟槽晶体管基元阵列包括第一沟槽晶体管基元单元和第二沟槽晶体管基元单元。基于第一沟槽晶体管基元单元的晶体管基元和基于第二沟槽晶体管基元单元的晶体管基元按照电气方式并联连接。第一沟槽晶体管基元单元包括第一阈值电压。第二沟槽晶体管基元单元包括大于第一阈值电压的第二阈值电压。在接通晶体管基元阵列的标称电流时的dUdt的绝对值是在接通晶体管基元阵列的标称电流的10％时的dUdt的绝对值的至少50％，dUdt是沟槽晶体管基元阵列的负载端子之间的电压U的时间导数。
主权项：1.一种半导体装置100，包括：半导体主体110，包括沟槽晶体管基元阵列，其中所述沟槽晶体管基元阵列包括第一沟槽晶体管基元单元102和第二沟槽晶体管基元单元103，其中基于所述第一沟槽晶体管基元单元102的晶体管基元101和基于所述第二沟槽晶体管基元单元103的晶体管基元101按照电气方式并联连接；所述第一沟槽晶体管基元单元102包括第一阈值电压Vth1；所述第二沟槽晶体管基元单元103包括大于所述第一阈值电压Vth1的第二阈值电压Vth2；并且其中在接通所述晶体管基元阵列的标称电流时的dUdt的绝对值是在接通所述晶体管基元阵列的所述标称电流的10％时的dUdt的至少50％，dUdt是所述沟槽晶体管基元阵列的负载端子L1，L2之间的电压U的时间导数。
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百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 包括沟槽晶体管基元单元的半导体装置
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