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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本申请实施例涉及一种沟槽栅晶体管，包括：半导体材料层；栅极沟槽，包括侧壁和底壁，侧壁包括沿延伸方向间隔排布至少两个第一部分以及位于相邻两第一部分之间的第二部分；第一电场屏蔽结构，位于栅极沟槽外且邻接第一部分；体区，位于栅极沟槽外且邻接第二部分，体区中靠近栅极沟槽的部分用于形成沟道区；漂移区，位于沟道区的下方；第二电场屏蔽结构，位于第一电场屏蔽结构的下方，且至少部分延伸至沟道区的下方，以使得沿延伸方向，漂移区的位于相邻两第二电场屏蔽结构之间的部分的宽度小于沟道区的宽度；如此，大幅降低了器件的饱和电流，优化了器件的短路性能；从而兼顾了比导通电阻Rsp与保护效果和短路性能。
主权项：1.一种沟槽栅晶体管，其特征在于，包括：半导体材料层；栅极沟槽，从所述半导体材料层的上表面延伸至内部，所述栅极沟槽包括侧壁和底壁，所述侧壁包括沿延伸方向间隔排布至少两个第一部分以及位于相邻两所述第一部分之间的第二部分，所述延伸方向指所述侧壁在所述半导体材料层的上表面所在的平面上的延伸方向；第一电场屏蔽结构，位于所述栅极沟槽外且邻接所述第一部分；体区，位于所述栅极沟槽外且邻接所述第二部分，所述体区中靠近所述栅极沟槽的部分用于形成沟道区；漂移区，位于所述沟道区的下方；第二电场屏蔽结构，位于所述第一电场屏蔽结构的下方，且至少部分延伸至所述沟道区的下方，以使得沿所述延伸方向，所述漂移区的位于相邻两所述第二电场屏蔽结构之间的部分的宽度小于所述沟道区的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 一种沟槽栅晶体管
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