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申请/专利权人：三峡大学

摘要：一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法，包括：微处理器，用于控制GaN器件开通与关断，还用于采集GaN器件的漏极电流IDS并计算器件结温；恒流源监测电路，用于根据微处理器的信号控制GaN器件开关，并在开通时向GaN器件提供恒定的门极电流；安装在GaN器件的管壳上的热电偶，用于测量GaN器件的壳温；电压源，用于在GaN器件的漏‑源极间给GaN器件施加电压，使GaN器件工作在有源区。本发明一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法，使得在不对其进行拆卸的情况下，既能获取器件结温，同时能方便准确的监测GaN器件热阻；具备便捷简单的优点。

主权项：1.一种GaN器件结温和热阻监测电路，其特征在于包括：微处理器，用于控制GaN器件开通与关断，还用于采集GaN器件的漏极电流IDS并计算器件结温；恒流源监测电路，用于根据微处理器的信号控制GaN器件开关，并在开通时向GaN器件提供恒定的门极电流；安装在GaN器件的管壳上的热电偶，用于测量GaN器件的壳温；电压源，用于在GaN器件的漏-源极间给GaN器件施加电压，使GaN器件工作在有源区；所述恒流源监测电路包括：运算放大器A1、A2、A3，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12，电容C1；电阻R1一端连接参考电压Uref端，电阻R1另一端连接运算放大器A1的反相输入端，电阻R2一端连接运算放大器A1的反相输入端，电阻R2另一端连接运算放大器A1的输出端；电阻R3一端连接运算放大器A3的反馈信号端，电阻R3另一端接运算放大器A1的同相输入端；电阻R4一端连接运算放大器A1的同相输入端，电阻R4另一端连接接地端；电阻R5一端连接运算放大器A1的输出端，电阻R5另一端接运算放大器A2的反相输入端；电容C1一端连接运算放大器A2的反相输入端，电容C1另一端连接运算放大器A2的输出端；电阻R12一端连接运算放大器A2的反相输入端，电阻R12另一端连接运算放大器A2的输出端；电阻R11一端连接运算放大器A2的同相输入端，电阻R11另一端连接接地端；电阻R6一端连接运算放大器A2的输出端，电阻R6另一端连接GaN器件门极；电阻R7一端连接电阻R6一端，电阻R7另一端连接运算放大器A3的反相输入端；电阻R8一端连接电阻R6另一端，电阻R8另一端连接运算放大器A3的同相输入端；电阻R9一端连接运算放大器A3的反相输入端，电阻R9另一端连接运算放大器A3的反馈信号端；电阻R10一端连接运算放大器A3的同相输入端，电阻R10另一端连接接地端。

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