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申请/专利权人：纳宇半导体材料(宁波)有限责任公司

摘要：本发明涉及一种增强微凸点可靠性的封装结构及其制备方法，步骤为在第一基板的上板面间隔开设多个凹槽；在凹槽底部开设第一通孔；在第一基板的上板面固接第二基板，在第二基板上打孔，形成第二通孔，采用纳米金属膏体填充各第二通孔、凹槽和第一通孔，第二基板上印刷纳米金属膏体，在第二通孔、凹槽和第一通孔内形成十字型连接柱，在第二基板上形成第一金属层，刻蚀，获得第一金属层；在各第一金属层的两侧放置铜柱，使得各铜柱与对应的第一金属层连接于一体，各第一金属层和两铜柱围设成U型槽；在芯片的底面制备微凸块，将芯片与U型槽装配，在第二基板上制备绝缘层，在第一基板的下板面制备覆盖各第一通孔的第二金属层，获得可靠性高的封装结构。

主权项：1.一种增强微凸点可靠性的封装结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1）将第一基板（1）放在垫板（2）上，在第一基板（1）的上板面间隔开设多个凹槽（3）；S2在各凹槽（3）底部开设贯通第一基板（1）的第一通孔（4）；S3在第一基板（1）的上板面热压粘结第二基板（5），在第二基板（5）上打孔，形成与凹槽（3）连通的第二通孔（6），第二通孔（6）的横截面积小于凹槽（3）的横截面积；S4采用纳米金属膏体填充各第二通孔（6）、凹槽（3）和第一通孔（4），并在第二基板（5）上印刷纳米金属膏体，第一次烧结，在第二通孔（6）、凹槽（3）和第一通孔（4）内形成十字型连接柱（14），在第二基板（5）上形成第一金属层（7），对第一金属层（7）进行刻蚀，保留各十字型连接柱（14）上方的第一金属层（7）；在各第一金属层（7）的两侧放置铜柱（8），第二次烧结，使得各铜柱（8）与对应的第一金属层（7）连接于一体，各第一金属层（7）和两铜柱（8）围设成U型槽（11）；S5采用纳米金属膏体，在芯片（9）的底面制备与各U型槽（11）一一匹配嵌入的微凸块（10），将芯片（9）放置于U型槽（11）上，使得各微凸块（10）嵌入对应的U型槽（11），芯片（9）的下板面与各铜柱（8）的顶面接触，第三次烧结，使得芯片（9）与U型槽（11）固接；S6在第二基板（5）上制备绝缘层（12），绝缘层（12）包裹芯片（9）；S7去除垫板（2），在第一基板（1）的下板面印刷纳米金属膏体，第四次烧结，刻蚀，在第一基板（1）下板面形成覆盖各第一通孔（4）的第二金属层（13），获得封装结构。

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