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申请/专利权人：HOYA株式会社
摘要：本发明提供用于制造能够在包含氢气的气体氛围中进行了EUV曝光的情况下抑制吸收体图案剥离的反射型掩模的反射型掩模坯料。所述反射型掩模坯料具备基板、基板上的多层反射膜、以及多层反射膜上的吸收体膜，上述吸收体膜包含吸收层及反射率调整层，上述吸收层含有钽Ta、硼B及氮N，并且含有选自氢H及氘D中的至少1种添加元素，上述吸收层的上述硼B的含量超过5原子％，上述吸收层的上述添加元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。
主权项：1.一种反射型掩模坯料，其具备：基板、该基板上的多层反射膜、以及该多层反射膜上的吸收体膜，所述吸收体膜包含吸收层及反射率调整层，所述吸收层含有钽Ta、硼B及氮N，并且含有选自氢H及氘D中的至少1种添加元素，所述吸收层的所述硼B的含量超过5原子％，所述吸收层的所述添加元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： HOYA株式会社 反射型掩模坯料、反射型掩模、以及反射型掩模及半导体装置的制造方法
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