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申请/专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体清洗方法，包含以下步骤：1将半导体浸泡于清洗剂中，在60～75℃下浸泡90～120min；2将半导体置于水中进行超声波清洗，干燥，即得清洗后的半导体；所述清洗剂包含硫酸、氢氟酸和水。本发明所述清洗过程中使用的为酸性清洗剂，可以有效去除半导体表面杂质，而且可以避免对其表面造成损伤。
主权项：1.一种半导体清洗方法，其特征在于，包含以下步骤：1将半导体浸泡于清洗剂中，在60～75℃下浸泡90～120min；2将半导体置于水中进行超声波清洗，干燥，即得清洗后的半导体；其中所述超声波清洗的频率为30～50kHz，时间为20～40min，水温为40～60℃；所述清洗剂包含硫酸、氢氟酸和水，所述清洗剂中，所述硫酸的质量浓度为0.5～0.8％，所述氢氟酸的质量浓度为0.4～0.6％。
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百度查询： 东莞新科技术研究开发有限公司 半导体的清洗方法
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