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申请/专利权人：珠海海奇半导体有限公司

摘要：一种高稳定性低压差线性稳压器，包括压差放大单元、镜像放大单元、镜像转换单元、取样单元、第一反馈单元和第二反馈单元。本发明实施例通过压差放大单元可以将基准电压和取样单元反馈的电压信号进行比较和放大；通过镜像放大单元可以将压差放大单元输出的电流进行镜像和放大，进而可以控制镜像转换单元工作；通过镜像转换单元可以将第一供电电压和第二供电电压虚短，使得第二供电电压发生变化时，也能够通过第一反馈单元进行反馈，进而可以矫正第二供电电压产生的误差，增加了电源抑制比。通过第二反馈单元将镜像转换单元的反馈信号输出到镜像放大单元输入端，减少了反馈的中间环节，提供了快速反馈的基础。

主权项：1.一种高稳定性低压差线性稳压器，其特征在于，包括：压差放大单元（100），其具有用于连接地线的接地端、用于连接第一供电电压的供电电压端、基准电压端、反馈输入端、输出端；所述压差放大单元（100）用于放大所述基准电压端和反馈输入端之间的压差；镜像放大单元（200），其具有与所述压差放大单元（100）输出端连接的输入端、与所述地线连接的接地端、与所述第一供电电压连接的供电电压端、输出端、反馈输入端、反馈输出端；所述镜像放大单元（200）用于将其输入端的电流镜像放大；镜像转换单元（300），其具有与所述镜像放大单元（200）输出端连接的输入端、与所述第一供电电压连接的第一供电电压端、用于连接第二供电电压的第二供电电压端、与地线连接的接地端、用于提供输出电压的输出端、第一反馈输出端、与所述镜像放大单元（200）的反馈输入端连接的第二反馈输出端；所述镜像转换单元（300）用于将所述第二供电电压和所述第一供电电压虚短、以及将其输入端的电流镜像；取样单元（400），其具有第一连接端、第二连接端、反馈输出端，其第一连接端与所述镜像转换单元（300）的输出端连接，第二连接端与所述地线连接，反馈输出端与所述压差放大单元（100）的反馈输入端连接；所述取样单元（400）用于从所述输出电压中取样并输出至所述压差放大单元（100）；第一反馈单元（500），其连接在所述镜像放大单元（200）的反馈输出端与所述镜像放大单元（200）的输入端之间，用于矫正所述第二供电电压波动带来的误差；第二反馈单元（600），其输入端与所述镜像转换单元（300）的第一反馈输出端连接，输出端与所述镜像放大单元（200）的输入端连接，所述第二反馈单元（600）用于提高所述输出电压的稳定性；所述压差放大单元（100）包括：第一N沟道MOS管，其源极与所述地线连接，栅极与漏极连接；第二N沟道MOS管，其源极与所述地线连接，栅极与所述第一N沟道MOS管的栅极连接，漏极用作所述压差放大单元（100）的输出端；第一P沟道MOS管，其漏极与所述第一N沟道MOS管的漏极连接，栅极与所述取样单元（400）的反馈输出端连接；第二P沟道MOS管，其漏极与所述第二N沟道MOS管的漏极连接，栅极用作所述压差放大单元（100）的基准电压端，源极与所述第一P沟道MOS管的源极连接；第一电流源，其一端与所述第二P沟道MOS管的源极连接，另一端用于连接所述第一供电电压；所述镜像放大单元（200）包括：第三N沟道MOS管，其栅极分别与所述压差放大单元（100）的输出端、第二反馈单元（600）的输出端连接，源极与所述地线连接；第四N沟道MOS管，其栅极与所述第三N沟道MOS管的漏极连接，漏极与所述第三N沟道MOS管的栅极之间连接有所述第一反馈单元（500）；第五N沟道MOS管，其源极与所述地线连接，漏极与所述第四N沟道MOS管的源极连接，栅极与所述镜像转换单元（300）的第二反馈输出端连接；第三P沟道MOS管，其漏极与所述第四N沟道MOS管的漏极连接，其栅极与漏极连接，其源极用于连接所述第一供电电压；第四P沟道MOS管，其栅极与所述第三P沟道MOS管的栅极连接，其源极与所述第三P沟道MOS管的源极连接；第六N沟道MOS管，其栅极分别与漏极、所述镜像放大单元（200）的输入端连接，漏极与所述第四P沟道MOS管的漏极连接，其源极与所述取样单元（400）的第一连接端连接；第二电流源，其一端与所述第三N沟道MOS管的漏极连接，另一端用于连接所述第一供电电压；所述镜像转换单元（300）包括：第七N沟道MOS管，其栅极与所述镜像放大单元（200）的输出端连接，源极与所述取样单元（400）的第一连接端连接，漏极用于连接所述第二供电电压；第八N沟道MOS管，其栅极与所述第七N沟道MOS管的栅极连接，漏极与所述第七N沟道MOS管的漏极连接，其源极与所述取样单元（400）的第一连接端之间连接有第一反馈电阻，源极还与所述第二反馈单元（600）的输入端连接；运放单元，其负输入端与所述第八N沟道MOS管的漏极连接；第五P沟道MOS管，其栅极与所述运放单元的输出端连接，漏极与所述运放单元的正输入端连接，源极用于连接所述第一供电电压；第九N沟道MOS管，其栅极与所述第八N沟道MOS管的栅极连接，漏极与所述第五P沟道MOS管的漏极连接，源极与所述取样单元（400）的第一连接端连接；第六P沟道MOS管，其栅极与所述第五P沟道MOS管的栅极连接，源极用于连接所述第一供电电压；第十N沟道MOS管，其漏极与所述第六P沟道MOS管的漏极连接，栅极与源极连接，源极与所述地线连接；第十一N沟道MOS管，其栅极与所述第十N沟道MOS管的栅极连接，源极与所述地线连接，漏极与所述镜像放大单元（200）的反馈输入端连接；第三电流源，其一端与所述第十一N沟道MOS管的漏极连接，另一端用于连接所述第一供电电压。

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