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申请/专利权人：芯盟科技有限公司
摘要：本公开提供一种晶体管阵列及其制造方法、半导体器件及其制造方法，晶体管阵列制造方法包括：提供晶圆；沿第一方向，从晶圆第一面部分刻蚀晶圆，形成网格状刻蚀沟槽和晶体管柱阵列；晶体管柱阵列包括呈阵列排布的多个晶体管柱，晶体管柱的第一预设厚度小于晶圆初始厚度；在网格状刻蚀沟槽中沉积绝缘材料，形成包围晶体管柱的绝缘层；刻蚀绝缘层，显露晶体管柱在第二方向上相对的第一侧壁和第二侧壁；在第一侧壁和第二侧壁上依次形成栅极氧化层和栅极；在晶体管柱的第一端形成源极；在晶体管柱的第二端形成漏极；第一端和第二端为晶体管柱在第一方向上相反端；源极与漏极间的晶体管柱构成晶体管的沟道区。
主权项：1.一种晶体管阵列的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一晶圆；沿第一方向，从所述晶圆的第一面对所述晶圆进行部分刻蚀，形成网格状刻蚀沟槽和晶体管柱阵列；其中，所述晶体管柱阵列包括呈阵列排布的多个晶体管柱，所述晶体管柱的第一预设厚度小于所述晶圆的初始厚度；所述第一方向为所述晶圆的厚度方向，所述第一面垂直于第一方向；在所述网格状刻蚀沟槽中沉积绝缘材料，形成包围每一所述晶体管柱的绝缘层；刻蚀所述绝缘层，以显露每一所述晶体管柱在第二方向上相对的第一侧壁和第二侧壁；所述第二方向垂直于所述第一方向；在所述第一侧壁和所述第二侧壁上依次形成栅极氧化层和栅极；在所述晶体管柱的第一端，形成源极；从所述晶圆的第二面开始，对所述晶圆进行减薄处理，直至暴露出所述晶体管柱的第二端为止，以使多个所述晶体管柱之间彼此隔离；其中，所述晶圆的第二面是与所述晶圆的第一面相对的一面；在所述晶体管柱的所述第二端，形成漏极；其中，所述第一端和所述第二端分别为所述晶体管柱在第一方向上相对的两端，所述源极与所述漏极之间的每一所述晶体管柱构成一个晶体管的沟道区。
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百度查询： 芯盟科技有限公司 晶体管阵列及其制造方法、半导体器件及其制造方法
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