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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明提供一种MoX2WX2横向异质结的制备方法，通过将两种金属源配置成前驱体溶液，在将前驱体溶液涂覆在衬底表面后，采用CVD法，即可获得界面锐利的MoX2WX2横向异质结；本发明不需要预先将金属源在空间上进行分离，也无需在实验过程中精确控制实验参数，即可自组装形成MoX2WX2横向异质结；通过改变X蒸汽的引入时间，还可以控制制备的MoX2WX2横向异质结的层数；本发明制备方法重复性高、简单易行、无需复杂精确的实验操作、获得的MoX2WX2横向异质结边界锐利，没有产生合金现象，且制备的MoX2WX2横向异质结转移方便，适用性较广，从而本发明可大大降低目前制备横向异质结的门槛。
主权项：1.一种MoX2WX2横向异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：配置钼酸钠与钨酸钠的混合溶液；在所述混合溶液中加入碱性物质，调整所述混合溶液呈弱碱性，以配置前驱体溶液；提供衬底，将所述前驱体溶液涂覆于所述衬底的表面，构成待反应结构；采用CVD法，将所述待反应结构及X粉体置于炉管中，通入惰性气体，进行加热；排出炉管中的惰性气体，引入X蒸汽，进行反应；降温处理，获得MoX2WX2横向异质结，其中，X元素为Se元素或S元素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 MoX2/WX2横向异质结的制备方法
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