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申请/专利权人：华南师范大学

摘要：本发明提供动态负载补偿模拟乘法器及温度补偿晶体振荡器，涉及集成电路技术领域，所述乘法器包括：双差分对模拟乘法模块，设置有第一乘法输入端、第二乘法输入端以及乘法运算输出端；动态负载模块，与双差分对模拟乘法模块连接，动态负载模块用于根据受控端的电压改变自身的负载电阻以调节双差分对模拟乘法模块的增益系数；动态控制模块，与动态负载模块的受控端连接，动态控制模块用于产生随温度变化的温度关联电压，温度关联电压用于改变动态负载模块的负载电阻以令双差分对模拟乘法模块的增益系数不随温度改变。根据温度关联电压，通过控制负载电阻变化的方式，抵消乘法运算输出端的输出电压受温度变化的影响，提供不受温度影响的模拟乘法器。

主权项：1.动态负载补偿模拟乘法器，其特征在于，包括：双差分对模拟乘法模块，设置有第一乘法输入端、第二乘法输入端以及乘法运算输出端；动态负载模块，与所述双差分对模拟乘法模块连接，所述动态负载模块用于根据受控端的电压改变自身的负载电阻以调节所述双差分对模拟乘法模块的增益系数；动态控制模块，与所述动态负载模块的受控端连接，所述动态控制模块用于产生随温度变化的温度关联电压，所述温度关联电压用于改变所述动态负载模块的负载电阻以令所述双差分对模拟乘法模块的增益系数不随温度改变；所述动态负载模块包括第一PMOS管以及第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极以及所述第二PMOS管的源极均与供电源连接，所述第一PMOS管的漏极以及所述第二PMOS管的漏极与所述双差分对模拟乘法模块连接，所述第一PMOS管的栅极以及所述第二PMOS管的栅极均与所述动态控制模块连接；所述第一PMOS管的参数与所述第二PMOS管的参数相同，所述温度关联电压由以下方式确定：根据所述第一PMOS管以及所述第二PMOS管的阈值电压温度特性曲线，计算第一温度系数；根据所述第一温度系数，确定所述温度关联电压的第二温度系数；根据所述第一PMOS管以及所述第二PMOS管的阈值电压，确定偏置电压，所述偏置电压用于令所述第一PMOS管与所述第二PMOS管工作于可变电阻区；确定温度传感电压以及调整电压；根据所述第二温度系数、所述偏置电压、所述温度传感电压以及所述调整电压，确定所述温度关联电压；所述动态控制模块包括运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻，所述第一电阻的一端与第一基准电压连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的一端以及所述运算放大器的同相输入端连接，所述第二电阻的另一端与第二基准电压连接，所述第三电阻的一端与温度传感电压连接，所述第三电阻的另一端分别与所述运算放大器的反相输入端以及所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与所述运算放大器的输出端连接；其中，所述第一基准电压等于所述调整电压，所述第二基准电压等于所述偏置电压，所述第三电阻的阻值以及所述第四电阻的阻值根据所述温度传感电压的第三温度系数以及所述第二温度系数确定。

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