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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明公开了一种场截止型氧化镓IGBT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括集电极，所述集电极的上方设置有p+衬底、Si掺杂n+缓冲层、Si掺杂n型漂移层、n+均流层，所述n+均流层的上方设置有Mg+p型阱区，所述Mg+p型阱区的上方设置有n+源区以及p+源区，所述n+均流层的上方设置有栅极介质，所述栅极介质的上方设置有栅极金属，所述n+源区以及p+源区的上方设置有源极金属。器件具备高耐压能力，可以有效截断漂移层电场穿透Si掺杂n型漂移层，能在保证耐压的基础上减少器件厚度，n+均流层降低了IGBT器件中VDMOS结构部分的导通电阻，同时不会对BJT晶体管导电通道产生影响。
主权项：1.一种场截止型氧化镓IGBT器件，其特征在于，包括集电极，所述集电极位于器件的最底端，所述集电极的上方设置有p+衬底，所述p+衬底的上方设置有Si掺杂n+缓冲层，所述Si掺杂n+缓冲层的上方设置有Si掺杂n型漂移层；所述Si掺杂n型漂移层的上方设置有n+均流层，所述n+均流层的上方设置有Mg+p型阱区，所述Mg+p型阱区的上方设置有n+源区以及p+源区，所述n+均流层的上方设置有栅极介质，所述栅极介质的上方设置有栅极金属，所述n+源区以及p+源区的上方设置有源极金属，所述源极金属位于栅极金属的外侧；所述n+源区以及p+源区均位于Mg+p型阱区的外侧，所述p+源区位于n+源区的外侧，所述n+源区以及p+源区均位于同一高度；所述p+衬底、Mg+p型阱区和p+源区均采用Mg掺杂，所述n+源区采用Sn掺杂；所述p+衬底、Si掺杂n型漂移层、Mg+p型阱区以及n+源区构成pnpn结构，进而构建BJT晶体管导电通道，所述n+均流层对BJT晶体管导电通道不产生影响。
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权利要求：
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