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申请/专利权人：重庆慧太博科技有限公司
摘要：本发明提供一种台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，N型轻掺杂单晶硅衬底表面顺序层叠有N型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、P型重掺杂Si1‑xGex基区层、N型掺杂单晶硅发射区帽层和N型重掺杂多晶硅发射区层，N型重掺杂多晶硅发射区层至N型掺杂单晶硅发射区帽层刻蚀形成有发射区电极接触台面和基区电极接触台面，N型重掺杂多晶硅发射区层至金属硅化物薄层刻蚀形成有集电区电极接触台面，台面结构表面覆盖有氧化层，电极窗口形成有对应金属电极，基区电极接触区域里沉积有P型重掺杂β‑Si1‑yCy。本发明还提供一种前述器件制备方法。本申请能提高器件截止频率和增益并减小基区渡越时间且能与常规硅基工艺相兼容。
主权项：1.一种台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件，其特征在于，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，所述N型轻掺杂单晶硅衬底的表面形成有厚度为200nm的N型重掺杂单晶硅层，所述N型重掺杂单晶硅层的表面形成有5nm厚的CoSi2金属硅化物薄层，所述金属硅化物薄层的表面形成有厚度为20-30nm的P型重掺杂Si1-xGex基区层且0.1x0.3，所述P型重掺杂Si1-xGex基区层的表面形成有厚度为10nm的N型掺杂单晶硅发射区帽层，所述N型掺杂单晶硅发射区帽层的表面形成有厚度为0.5μm的N型重掺杂多晶硅发射区层，所述N型重掺杂多晶硅发射区层至N型掺杂单晶硅发射区帽层刻蚀形成有发射区电极接触台面和左右侧基区电极接触台面，所述N型重掺杂多晶硅发射区层至金属硅化物薄层刻蚀形成有左右侧集电区电极接触台面，台面结构的整个表面覆盖有100nm厚的SiO2氧化层，所述基区、集电区和中间发射区位置对应的氧化层刻蚀形成有对应电极接触窗口，且基区窗口下的P型重掺杂Si1-xGex基区层刻蚀形成有基区电极接触区域，所述电极接触窗口上形成有对应金属电极，所述基区电极接触区域里沉积有P型重掺杂β-Si1-yCy且0.02y0.05。
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权利要求：
百度查询： 重庆慧太博科技有限公司 一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件及其制备方法
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