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申请/专利权人：瑞萨电子株式会社
摘要：本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极DE的一部分形成于漏极垫DP的侧面DSF中。此时，漏极电极DE与漏极垫DP一体形成，且在俯视下从侧面DSF起在第1方向y方向上延伸。凹部DRE位于在俯视下与漏极电极DE重合的区域上。漏极电极DE的至少一部分填埋在凹部DRE中。从第1方向y方向上看，凹部DRE中面向漏极垫DP的侧面侧面RDS嵌入漏极垫DP中。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，具有：氮化物半导体层；栅极电极，所述栅极电极位于所述氮化物半导体层上，并且在俯视下沿第1轴延伸；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜位于所述栅极电极及所述氮化物半导体层上；源极垫，所述源极垫位于所述层间绝缘膜上，并且在俯视下沿与所述第1轴垂直的第2轴延伸；漏极垫，所述漏极垫位于所述层间绝缘膜上，并且在俯视下沿所述第2轴延伸，且所述漏极垫与所述源极垫隔开间隔；源极电极，所述源极电极在俯视下以长边方向沿所述第1轴地朝向所述漏极垫延伸，并且与所述源极垫连接；以及漏极电极，所述漏极电极在俯视下以长边方向沿所述第1轴地朝向所述源极垫延伸，并且与所述漏极垫连接，其中，所述层间绝缘膜具有在俯视下以长边方向沿所述第1轴延伸的第1凹部，其中，所述第1凹部在俯视下在所述源极电极和所述源极垫中具有长边地延伸，其中，在俯视下所述源极垫的一部分埋在所述第1凹部中，其中，所述源极电极和所述源极垫的一部分经由所述第1凹部与所述氮化物半导体层连接，其中，所述源极电极和所述源极垫经由第1阻障金属膜形成在所述层间绝缘膜上。
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