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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括：步骤一、对半导体衬底进行刻蚀形成鳍体；步骤二、沉积FCVD氧化层将鳍体之间的间隔区域完全填充；步骤三、进行第一次退火使FCVD氧化层进行第一次固化；步骤四、对FCVD氧化层进行回刻从而露出鳍体的顶部部分。步骤五、沉积牺牲介质层将鳍体的顶部部分包围；步骤六、进行第二次退火使所述FCVD氧化层完全固化，第二次退火中FCVD氧化层的氧会对鳍体的材料产生消耗从而使鳍体的底部部分的宽度减小，用以提升鳍式场效应晶体管的防穿通能力；步骤七、去除所述牺牲介质层。本发明能提高器件的防穿通能力，提高沟道载流子的迁移率，提高器件的性能。
主权项：1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供半导体衬底，定义出鳍体的形成区域并对所述半导体衬底进行刻蚀形成所述鳍体，所述鳍体之间具有间隔区域；步骤二、采用FCVD工艺沉积FCVD氧化层将所述鳍体之间的间隔区域完全填充；步骤三、对所述FCVD氧化层进行第一次退火使所述FCVD氧化层进行第一次固化；步骤四、对所述FCVD氧化层进行回刻，回刻后所述FCVD氧化层的顶部表面低于所述鳍体的顶部表面，所述鳍体分成位于所述FCVD氧化层的顶部表面之上的顶部部分以及位于所述FCVD氧化层的顶部表面之下的底部部分，所述鳍体的底部部分被所述FCVD氧化层包围；步骤五、沉积牺牲介质层将所述鳍体的顶部部分包围；步骤六、对所述FCVD氧化层进行第二次退火使所述FCVD氧化层完全固化，所述第二次退火中所述FCVD氧化层的氧会对所述鳍体的材料产生消耗从而使所述鳍体的底部部分的宽度减小，利用所述鳍体的底部部分的宽度减小来提升鳍式场效应晶体管的防穿通能力；步骤七、去除所述牺牲介质层。
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权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 鳍式场效应晶体管的制造方法
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