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申请/专利权人：巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司

摘要：本发明涉及一种半导体设备用聚焦环的制备方法及装置，制备方法包括步骤一：预备沉积装置，将沉积装置置于化学气相沉积炉内；步骤二：对化学气相沉积炉进行加热，将气相沉积炉内加热至950‑1300℃，向气相沉积炉内通入甲基三氯硅烷（MTS）和氢气（H2）的混合气体；步骤三：将沉积好的固体碳化硅聚焦环与沉积装置进行分离；步骤四：抛光，将聚焦环表面进行打磨抛光制得纯度较高、气孔率低且颗粒大小均匀的聚焦环，保证了聚焦环具有较高的质量，延长了聚焦环的使用期限，有效避免刻蚀设备频繁更换聚焦环的问题，提升了生产效率。

主权项：1.一种半导体设备用聚焦环的制备方法，其特征是，包括以下步骤：步骤一：预备沉积装置，将沉积装置置于化学气相沉积炉内；步骤二：对化学气相沉积炉进行加热，将气相沉积炉内加热至950-1300℃，向气相沉积炉内通入甲基三氯硅烷（MTS）和氢气（H2）的混合气体，调节甲基三氯硅烷（MTS）和氢气（H2）的摩尔比，通过化学气相沉积法制备固体碳化硅聚焦环；步骤三：将沉积好的固体碳化硅聚焦环与沉积装置进行分离；步骤四：抛光，将聚焦环表面进行打磨抛光；半导体设备用聚焦环的制备装置，包括沉积装置，沉积装置包括沉积壳体和布气装置，沉积壳体与布气装置可拆连接；沉积壳体包括顶板、设置在顶板周向且向下延伸的侧壁，侧壁上开设有排气格栅，顶板的下表面中部设置有圆柱状环台，圆柱状环台用于沉积聚焦环；布气装置包括开口朝上的壳体，壳体包括底壁和设置在底壁周向且向上延伸的侧板，侧板与底壁围成布气装置的内腔；布气装置侧板在上下方向的投影形状与沉积壳体侧壁在上下方向的投影形状相同；布气装置的底壁开设有进气口；布气装置内腔中设置有布气盘，布气盘上开设有上下贯穿的布气孔；所述沉积壳体为顶板与侧壁形成的中空圆柱形壳体，所述布气装置壳体为底壁与侧板形成的中空圆柱形壳体；所述布气装置的侧板的上表面开设有环形凹槽，所述沉积壳体的侧壁卡和于环形凹槽内；所述布气孔为长条形进气格栅，相邻两层布气盘上的进气格栅交错布置；所述圆柱状环台的下表面位于沉积壳体侧壁的下表面的上方，所述排气格栅在上下方向间隔设置有若干层，所述排气格栅的宽度自上而下逐层递增。

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