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申请/专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种碳化硅沟槽，其具有侧壁陡直和底部圆滑的沟槽结构。本发明还提供了一种碳化硅沟槽的制备方法。本发明提供的侧壁陡直、底部圆滑的碳化硅沟槽既能够提升器件性能和可靠性，又可以为后续沟槽内的生长及填充工艺带来便捷。本发明提供的方法可以制备得到具有侧壁陡直和底部圆滑的沟槽结构，工艺步骤简单，能够极大地提高工艺效率和节约成本。
主权项：1.一种碳化硅沟槽的制备方法，其包括以下步骤：步骤S2：在碳化硅基体上沉积第一层掩膜；步骤S3：在第一层掩膜上的非沟槽区域沉积光刻胶掩膜；步骤S4：通过第一次干法刻蚀去除沟槽区域上方的第一层掩膜和非沟槽区域沉积的光刻胶掩膜，得到具有陡直的掩膜侧壁的凹槽；步骤S5：将旋涂玻璃旋涂在第一层掩膜和所述凹槽的表面上，固化形成底部圆滑的第二层掩膜，步骤S6：通过第二次干法刻蚀形成侧壁陡直且底部圆滑的碳化硅沟槽；步骤S7：通过湿法腐蚀去除剩余的第一层掩膜和硅的氧化物，得到所述碳化硅沟槽；所述第一层掩膜为多晶硅、非晶硅、AIN或SiO2，和或所述第一层掩膜的厚度：碳化硅沟槽刻蚀深度＝0.5-2:1；所述光刻胶掩膜的厚度为1-3μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株洲中车时代半导体有限公司 一种碳化硅沟槽及其制备方法
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