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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本发明提供了一种三维存储结构及其制作方法。该该三维存储结构中堆叠结构的至少一侧具有台阶区域，台阶区域远离衬底的一侧覆盖有介质层，且上述三维存储结构还包括多个伪沟道孔和多个接触孔，由于上述三维存储结构中对伪沟道孔在台阶区域中的面积占比进行优化，相比于现有技术，提高了伪沟道孔在台阶区域中的密度，从而在伪沟道孔的形成工艺中刻蚀材料在伪沟道孔中的堆积，进而减少或避免了刻蚀不足的问题的产生；同时，通过对伪沟道孔的中心与接触孔的中心之间距离进行优化，相比于现有技术，保证了相邻伪沟道孔之间的有效面积，从而保证了接触孔能够具有足够的工艺窗口，避免了衬底与接触孔的接触电阻的提高，进而提高了三维存储结构的性能。
主权项：1.一种三维存储结构，包括衬底10、堆叠结构和介质层30，所述堆叠结构位于所述衬底10上，所述堆叠结构包括沿远离所述衬底10的方向层叠的多个堆叠单元20，且所述堆叠结构的至少一端具有台阶区域，所述介质层30覆盖于所述台阶区域远离所述衬底10的一侧，其特征在于，所述三维存储结构还包括：多个伪沟道孔40，位于所述介质层30和所述台阶区域中并贯穿至所述衬底10；伪沟道材料层，位于各所述伪沟道孔40中；多个接触孔50，位于所述介质层30和所述台阶区域中并贯穿至所述堆叠单元20，各所述接触孔50与各所述堆叠单元20一一对应设置，且各所述接触孔50与各所述伪沟道孔40在所述衬底10上的投影不重叠；电连接层，位于各所述接触孔50中；其中，定义所述伪沟道孔40在所述衬底10的投影面积之和为S1，定义所述台阶区域在所述衬底10的投影面积为S2，S1：S2＝14～35：1，且定义各所述伪沟道孔40与各所述接触孔50之间的最短距离为Lmin，Lmin≥30nm，所述堆叠结构还具有核心阵列区域，所述台阶区域位于所述核心阵列区域的至少一侧，所述伪沟道孔40分布于所述核心阵列区域和所述台阶区域中。
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