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申请/专利权人：财团法人工业技术研究院
摘要：本发明公开一种子像素结构、像素结构以及应用于其的发光二极管芯片，其中该子像素结构包括基板以及发光二极管芯片。发光二极管芯片设置于基板上。发光二极管芯片具有芯片面积和发光面积，且发光面积小于或等于芯片面积的十分之一。
主权项：1.一种子像素结构，其特征在于，包括：基板；以及发光二极管芯片，设置于所述基板上，其中所述发光二极管芯片具有芯片面积和发光面积，且所述发光面积小于或等于所述芯片面积的十分之一，其中所述发光二极管芯片包括:第一半导体层，具有第一掺杂类型；发光层，配置于所述第一半导体层上；第二半导体层，配置于所述发光层上且具有不同于所述第一掺杂类型的第二掺杂类型；第一电极接点，电连接所述第一半导体层；以及第二电极接点，电连接所述第二半导体层，其中所述第一电极接点以及所述第二电极接点中的至少一者在所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的堆叠方向上与所述发光二极管芯片的发光区域不重叠，且其中沿着所述第一电极接点以及所述第二电极接点的排列方向延伸且相交于所述第一电极接点以及所述第二电极接点的剖线不与所述发光区域相交。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 财团法人工业技术研究院 子像素结构、像素结构以及应用于其的发光二极管芯片
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