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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本实用新型公开了一种下电极组件、薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备，通过定位组件将基座、绝缘盘和静电吸盘进行定位，以使得基座、绝缘盘和静电吸盘对中同心，之后再将基座、绝缘盘和静电吸盘三者依次连接固定后即可保证座、绝缘盘和静电吸盘对中同心，如此便于支撑环和聚焦环安装后也可以与静电吸盘同心，避免聚焦环与静电吸盘某一侧径向间隙过大导致等离子体通过该大间隙处进入下电极组件狭缝空间内部的情况发生，同时也能够保证静电吸盘用于与绝缘盘配合的台阶结构不会挤裂绝缘盘，进而保证静电吸盘与基座绝缘。
主权项：1.一种下电极组件，其特征在于，包括基座10、绝缘盘20和静电吸盘30，所述基座10具有安装槽11，所述绝缘盘20和所述静电吸盘30叠放至所述安装槽11内，所述静电吸盘30位于所述绝缘盘20之上，其中，所述基座10、所述绝缘盘20和所述静电吸盘30通过定位组件对中定位后再进行连接固定。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 下电极组件、薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备
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