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申请/专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种含高中低密度芯片的封装结构，在基板内预埋有第二芯片，基板的背面贴装有第三芯片，第三芯片与基板之间填充有填充料三，重分布层贴装有第一芯片，第一芯片与重分布层之间具有填充料一，重分布层上设有塑封层，塑封层包裹第一芯片，塑封层内设有将重分布层和或第一芯片的电路引出的铜柱，铜柱上植有焊球一，载有封装后的第一芯片的重分布层倒装于基板的正面，焊球一与基板连接，塑封层与基板之间填充有填充料二，重分布层的背面植有焊球二，第一、第二、第三芯片分别为高、中、低的凸块密度的芯片。本实用新型结合芯片埋入技术及RDL技术实现不同凸块密度的芯片互联，提供了一种性价比较高的含高中低密度芯片的封装结构。
主权项：1.一种含高中低密度芯片的封装结构，其特征在于，包括：基板1，所述基板1内预埋有第二芯片2，所述第二芯片2位于靠基板1正面的一侧，所述基板1的背面贴装有第三芯片3，所述第三芯片3与基板1之间填充有填充料三31；重分布层4，所述重分布层4贴装有第一芯片5，所述第一芯片5与重分布层4之间具有填充料一51，所述重分布层4上设有塑封层6，所述塑封层6包裹第一芯片5，所述塑封层6内设有将重分布层4和或第一芯片5的电路引出的铜柱7，所述铜柱7上植有焊球一8；载有封装后的第一芯片5的重分布层4倒装于基板1的正面，所述焊球一8与基板1连接，所述塑封层6与基板1之间填充有填充料二81。
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百度查询： 江苏芯德半导体科技有限公司 一种含高中低密度芯片的封装结构
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