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申请/专利权人：美科米尚技术有限公司
摘要：一种微型发光二极管装置包含基板、微型发光二极管以及透明顶电极。微型发光二极管设置于基板上，并包含p型GaN层、在p型GaN层上方的n型GaN层、在n型GaN层上方且与n型GaN层接触的n型掺杂AlxGa1‑xN层以及在p型GaN层与n型GaN层之间的主动层。x等于或大于0.02且小于1。透明顶电极覆盖并接触n型掺杂AlxGa1‑xN层。n型掺杂AlxGa1‑xN层的折射率小于n型GaN层的折射率。n型GaN层与n型掺杂AlxGa1‑xN层的厚度的总和大于主动层与p型GaN层的厚度的总和。借此，可以有效提高微型发光二极管的出光效率。
主权项：1.一种微型发光二极管装置，其特征在于，包含：基板；微型发光二极管，具有小于100微米的横向宽度，设置于该基板上，并包含：p型GaN层；n型GaN层，在该p型GaN层上方；n型掺杂AlxGa1-xN层，在该n型GaN层上方且与该n型GaN层接触，其中x等于或大于0.02且小于1，且该n型掺杂AlxGa1-xN层的厚度大于10纳米；以及主动层，在该p型GaN层与该n型GaN层之间；以及透明顶电极，至少部分地覆盖并接触该n型掺杂AlxGa1-xN层；其中该n型掺杂AlxGa1-xN层的折射率小于该n型GaN层的折射率，其中该p型GaN层、该主动层、该n型GaN层与该n型掺杂AlxGa1-xN层的厚度的总和大于400纳米，其中该n型GaN层与该n型掺杂AlxGa1-xN层的所述厚度的总和大于该主动层与该p型GaN层的所述厚度的总和。
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百度查询： 美科米尚技术有限公司 微型发光二极管装置
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