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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司
摘要：描述了作为半导体制造工艺的一部分的、产生用于对准衬底层中的特征的对准信号。与用于产生对准信号的典型方法相比，本系统和方法更快速，并且产生更多信息，因为它们利用图案化半导体晶片中的现有结构而不是专用对准结构。连续扫描图案化半导体晶片的特征而非专用对准标记，其中扫描包括：用辐射连续地照射特征；以及连续地检测来自特征的反射辐射。扫描垂直于特征、沿着特征的一侧或沿特征的两侧执行的。
主权项：1.一种用于产生量测信号的系统，所述系统包括：源，被配置为用辐射来照射图案化衬底中的特征，所述特征不同于专用对准结构；传感器，被配置为检测来自所述特征的反射辐射；以及一个或多个处理器，被配置为基于从所述特征检测到的所述反射辐射来产生所述量测信号，所述量测信号包括与所述特征有关的测量信息。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASML荷兰有限公司 产生对准信号而无需专用对准结构
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