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用于第三代半导体SiC材料纯化装备保温系统的引导式迷宫密封保温结构 

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申请/专利权人:山西中电科新能源技术有限公司

摘要:本发明公开了用于第三代半导体SiC材料纯化装备保温系统的引导式迷宫密封保温结构,属于半导体材料制造技术领域;包括紧密贴合且首尾相接的多边形结构的多层保温毡,每层保温毡由奇保温毡和偶保温毡依次交替拼合组成;奇保温毡和偶保温毡均为等腰梯形结构,在拼合时,每层中偶保温毡的腰与奇保温毡的下底边紧密贴合;相邻两层之间位于外层的奇保温毡的下底边与位于内层的奇保温毡的上底边紧密贴合,相邻两层之间位于外层的偶保温毡的下底边与位于内层的偶保温毡的上底边紧密贴合;本发明不需要增加保温毡的厚度,仅通过结构设计即可保证保温系统内部2400℃的热气流流到保温毡外部的热气流温度在300℃以内。

主权项:1.用于第三代半导体SiC材料纯化装备保温系统的引导式迷宫密封保温结构,包括多层保温毡,多层保温毡之间紧密贴合且首尾相接在高温纯化装备内部围成保温内部腔体;其特征在于,所述多层保温毡为多边形结构,多边形结构的边数≥12;每层保温毡由奇保温毡和偶保温毡依次交替拼合组成;所述奇保温毡和偶保温毡均为等腰梯形结构,且每层保温毡中的奇保温毡的上底长度大于偶保温毡的上底长度,每层保温毡中的奇保温毡的下底长度大于偶保温毡的下底长度;由内向外,层与层之间的奇保温毡截面逐渐增大,且层与层之间的偶保温毡截面逐渐增大;在拼合时,每层中偶保温毡的腰与奇保温毡的下底边紧密贴合;相邻两层之间位于外层的奇保温毡的下底边与位于内层的奇保温毡的上底边紧密贴合,相邻两层之间位于外层的偶保温毡的下底边与位于内层的偶保温毡的上底边紧密贴合。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 山西中电科新能源技术有限公司 用于第三代半导体SiC材料纯化装备保温系统的引导式迷宫密封保温结构

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