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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供一种在半导体器件制造过程中防光刻胶毒化的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积底部膜层，所述底部膜层表面残留有胺基悬挂键；氧化去除所述胺基悬挂键；在所述底部膜层上形成光刻胶层，所述光刻胶层上涂覆有TARC层，并对涂覆有所述TARC层的所述光刻胶层进行图案化处理，以形成光刻胶图案。本发明通过氧化去除所述胺基悬挂键的方式替代了现有的等离子体处理工艺去除胺基悬挂键，可以避免在底部薄膜的等离子体损伤问题，还有效改善光刻胶毒化的问题。
主权项：1.一种在半导体器件制造过程中防光刻胶毒化的方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上沉积底部膜层，所述底部膜层表面残留有胺基悬挂键；氧化去除所述胺基悬挂键；在所述底部膜层上形成光刻胶层，所述光刻胶层上涂覆有TARC层，并对涂覆有所述TARC层的所述光刻胶层进行图案化处理，以形成光刻胶图案。
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权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种在半导体器件制造过程中防光刻胶毒化的方法
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