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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：描述用于晶片制造的等离子体辅助膜去除的方法、系统及装置。本公开提供用于从晶片的例如围绕斜面边缘的选择部分去除膜的原位技术。在使用化学气相沉积CVD在所述晶片上形成膜之后，可将所述晶片升高到用于所述CVD的腔室中的较高位置。气体组合可从气体固定装置喷射且分别被引导到所述晶片的不同部分。所述气体组合可反应以选择性地从所述晶片的所述斜面边缘去除所述膜并将所述膜维持在所述晶片的其它部分上。
主权项：1.一种方法，其包括：在包括存储器装置的衬底上形成材料膜；通过所述衬底下方的支撑结构至少部分基于形成所述膜来调整所述衬底在竖直方向上的偏移位置；通过气体固定装置将来自所述气体固定装置的多个孔中的第一组孔的第一气体及来自所述气体固定装置的所述多个孔中的第二组孔的第二气体沉积到所述衬底上，所述第一组孔经定位成邻近所述气体固定装置的周边的至少一部分，并且所述第二组孔经定位在所述气体固定装置的中心；以及至少部分基于沉积所述第一气体、沉积所述第二气体及所述衬底的所述偏移位置从所述衬底去除所述材料膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 用于晶片制造的等离子体辅助膜去除
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