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申请/专利权人：马维尔亚洲私人有限公司
摘要：一种用于减轻集成电路IC封装件的电容不连续性的调谐结构，包括具有第一端部、第二端部以及在第一端部和第二端部之间的导体主体的电导体。第一端部被电耦合到信号过孔，并且第二端部被电耦合到IC封装核心过孔帽。电导体被设置成与核心过孔帽基本共面，并且导体主体沿核心过孔帽的外周边设置。第二端部在接触位置处耦合到过孔帽。接触位置基于与传输路径相关联的性能度量的测量结果而被确定，该传输路径通过IC封装核心、核心过孔帽、电导体和信号过孔。
主权项：1.一种调谐结构，用以减小集成电路IC封装件的电容不连续性，包括：电导体，具有第一端部、第二端部和在所述第一端部与所述第二端部之间的导体主体，所述第一端部被电耦合到信号过孔，并且所述第二端部被电耦合到IC封装核心过孔帽；所述电导体被设置成与所述核心过孔帽基本共面，并且所述导体主体沿所述核心过孔帽的外周边设置。
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