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申请/专利权人:山东华光光电子股份有限公司
摘要:本发明涉及一种低电压高电光转换效率半导体激光器结构,属于半导体激光器技术领域,由下至上依次为GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlGaInP下限制层、GaInP下波导层一、AlGaAs下波导层二、AlGaAs量子阱层、AlGaAs上波导层一、GaInP上波导层二、AlGaInP上限制层、GaInP过渡层、GaAs欧姆接触层,通过在量子阱两侧设计可调组分的AlGaAs材料,调节下波导层二和上波导层一势垒高度,合理控制注入势垒高度,以此达到降低电压和提升电光转换效率的目的。
主权项:1.一种低电压高电光转换效率半导体激光器结构,其特征在于,由下到上依次包含GaAs衬底层、GaAs缓冲层、AlGaInP下限制层、GaInP下波导层一、AlGaAs下波导层二、AlGaAs量子阱层、AlGaAs上波导层一、GaInP上波导层二、AlGaInP上限制层、GaInP过渡层和GaAs欧姆接触层,所述AlGaAs下波导层二与AlGaAs量子阱层的带隙差,以及和AlGaAs上波导层一与AlGaAs量子阱层的带隙差均控制在0.15-0.30eV之间。
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百度查询: 山东华光光电子股份有限公司 一种低电压高电光转换效率半导体激光器结构
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