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申请/专利权人:四川和芯微电子股份有限公司
摘要:本发明公开了一种电容阵列的失调电压校准电路,包括结构完全对称的P端阵列与N端阵列,P端阵列、N端阵列分别包括主电容阵列与副电容阵列;P端阵列的主电容阵列包括K个第一电容,P端阵列的副电容阵列包括M个第二电容,K个第一电容与M个第二电容的一极板共同连接形成P端;外部共模电压分别输入P端与N端;各个电容的另一极板均可选择地接地或连接参考电源。本发明的失调电压校准电路可在一个电路结构中同时实现单端输入和差分输入的失调电压校准,简化了电路校准电路结构,且提高了失调电压的校准精度。
主权项:1.一种电容阵列的失调电压校准电路,包括结构完全对称的P端阵列与N端阵列,P端阵列、N端阵列分别包括主电容阵列与副电容阵列,P端阵列的主电容阵列包括K个第一电容,P端阵列的副电容阵列包括M个第二电容,K个第一电容与M个第二电容的一极板共同连接形成P端;N端阵列的主电容阵列包括K个第一电容,N端阵列的副电容阵列包括M个第二电容,N端阵列中的K个第一电容与M个第二电容的一极板共同连接形成N端;其特征在于,P端阵列中的K-1个第一电容的电容值成等比例数列排列,公比为12,且第1个第一电容的电容值为Ct2,第K个第一电容的电容值与第K-1个第一电容的电容值相同;P端阵列中的M-1个第二电容的电容值成等比例数列排列,公比为12,且第1个第二电容的电容值为Cc2,第M个第二电容的电容值与第M-1个第二电容的电容值相同;外部共模电压分别输入P端与N端;各个电容的另一极板均可选择地接地或连接参考电源;当所述主电容阵列的输入为单端输入时,所述失调电压校准电路的初始状态被设置为:P端阵列的第1个第二电容的另一极板与参考电源连接,P端阵列的其它所有电容的另一极板均接地,在初始状态基础上依次改变p端阵列的第1个第二电容至第M-1个第二电容的另一极板的连接方式以校准整个电容阵列的失调电压;当所述主电容阵列的输入为双端输入时,所述失调电压校准电路的初始状态被设置为:P端阵列的第1个第二电容的另一极板与参考电源连接,P端阵列的其它电容的另一极板均接地,N端阵列的第1个第二电容的另一极板接地,N端阵列的其它电容的另一极板均连接参考电源,在初始状态基础上依次改变p端阵列与N端阵列的第1个第二电容至第M-1个第二电容的另一极板的连接方式以校准整个电容阵列的失调电压,且所述P端阵列中对应的第二电容的另一极板的连接方式与N端阵列中对应的第二电容的另一极板的连接方式相反;其中,Ct与Cc为按要求设计的电容值常数,K与M均为大于1的自然数。
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