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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种多步腐蚀掩膜层的背接触电池的制备方法，包括：S01、在硅片背面依次形成第一半导体层、掩膜层，掩膜层包含氮化硅；S02、形成第二半导体开口区；S03、然后进行制绒清洗；之后去除硅片背面第二半导体开口区外的掩膜层；去除采用高低温溶液腐蚀法的过程包括：先检测当前批次中所有硅片对应的掩膜层厚度，获得掩膜层的最薄厚度d，随后采用第一溶液进行高温腐蚀以去除d厚度的掩膜层，然后采用第二溶液进行低温腐蚀以去除剩余厚度的掩膜层。本发明使得去除掩膜层的工艺时间大大缩短，适用于量产，含多晶的第一半导体层钝化性能几乎不会受损，提高了背接触电池的钝化性能，提升电池转换效率。
主权项：1.一种多步腐蚀掩膜层的背接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S01、在硅片背面依次形成第一半导体层、掩膜层，第一半导体层包含第一掺杂多晶硅层，掩膜层包含氮化硅；S02、在S01所得背面的第一半导体层及其掩膜层上进行第一刻蚀开口，形成间隔分布的第二半导体开口区；S03、然后进行制绒清洗；之后采用高低温溶液腐蚀法，去除硅片背面第二半导体开口区外的掩膜层；所述高低温溶液腐蚀法的过程包括：先检测当前批次中所有硅片对应的掩膜层厚度，获得掩膜层的最薄厚度d和最厚厚度D，随后采用第一溶液进行高温腐蚀以去除d厚度的掩膜层，然后采用第二溶液进行低温腐蚀以去除D-d的剩余厚度r的掩膜层；其中，第一溶液为质量浓度为5%-10%的氢氟酸水溶液，高温腐蚀的处理温度为30℃-35℃，高温腐蚀的反应时间t1以单位s计的数值根据d以单位nm计的数值确定且满足：d=α×t1，α为0.2-0.5；第二溶液为含氢氟酸和盐酸的水溶液，第二溶液中氢氟酸质量浓度为2%-5%，盐酸质量浓度为0.5%-2%；低温腐蚀的处理温度为10℃-15℃，低温腐蚀的反应时间t2以单位s计的数值根据r以单位nm计的数值确定且满足：r=β×t2，β为0.04-0.10；S04、在S03所得背面沉积第二半导体层。
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权利要求：
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