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申请/专利权人：斯坦雷电气株式会社

摘要：本发明包括：基板；第一多层膜反射镜，其形成在基板上；第一半导体层，其形成在第一多层膜反射镜上并且具有第一导电类型；发光层，其形成在第一半导体上；第二半导体层，其形成在发光层上，具有与第一半导体层的第一导电类型相反的第二导电类型，并且在第二半导体层的上表面上具有低电阻区域和高电阻区域，所述高电阻区域从低电阻区域朝向在低电阻区域外部的发光层凹陷，并且由于具有第二导电类型的杂质失活而具有高于低电阻区域的电阻；透光电极层，其形成在第二半导体层的上表面上，与低电阻区域和高电阻区域接触；以及第二多层膜反射层，其形成在透光电极层上，并在第二多层膜反射镜和第一多层膜反射镜之间构成谐振器。

主权项：1.一种垂直腔表面发射装置，该垂直腔表面发射装置包括：基板；第一多层膜反射镜，所述第一多层膜反射镜形成在所述基板上；第一半导体层，所述第一半导体层形成在所述第一多层膜反射镜上并且具有第一导电类型；发光层，所述发光层形成在所述第一半导体层上；第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述发光层上并且具有与所述第一半导体层的所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第二半导体层在上表面上包括低电阻区域和与所述低电阻区域直接相邻的第一高电阻区域，所述第一高电阻区域从所述低电阻区域朝向所述低电阻区域外部的所述发光层凹陷，并且所述第二导电类型的杂质在所述第一高电阻区域中失活，使得所述第一高电阻区域的电阻高于所述低电阻区域的电阻；透光电极层，所述透光电极层与所述低电阻区域和所述第一高电阻区域的与所述低电阻区域邻近的至少邻近部分直接接触，并且所述透光电极层在所述低电阻区域中以及在从所述低电阻区域凹陷的所述第一高电阻区域的至少所述邻近部分中直接形成在所述第二半导体层上的所述上表面上；以及第二多层膜反射镜，所述第二多层膜反射镜形成在所述透光电极层上，在所述第二多层膜反射镜和所述第一多层膜反射镜之间构成谐振器，其中，位于所述低电阻区域中的所述第二半导体层的层厚度大于位于与所述低电阻区域直接相邻的所述第一高电阻区域中的所述第二半导体层的层厚度，其中，所述谐振器包括中心区域和外部区域，所述中心区域与所述低电阻区域对应并且在所述第一多层膜反射镜和所述第二多层膜反射镜之间延伸，并且所述外部区域被设置为与所述中心区域外部的所述第一高电阻区域对应，并且其中，所述外部区域的等效折射率低于所述中心区域的等效折射率。

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权利要求：

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