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申请/专利权人：福州镓谷半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种改善器件翘曲的蓝宝石衬底、外延层和制备方法，蓝宝石衬底的底面向上设有图形化凹槽，图形化凹槽的形状为半圆形或者多边形；在使用时，通过在蓝宝石衬底的底面设置图形化凹槽，从而使蓝宝石衬底的底面的表面积大于顶面的表面积，这样在蓝宝石衬底上外延氮化镓时，氮化镓除了因与蓝宝石衬底的晶格失配导致衬底形状变凹外，还会因为蓝宝石衬底的底面的表面面积大于顶面表面面积，使蓝宝石衬底的底面的膨胀面积大于上表面的膨胀面积，进而使外延后的结构的凹型程度更大，此时外延后的结构中的张应力可以抑制或者完全抵消因热失配带来的压应力，最终可以获得无裂纹和低翘曲度的氮化镓外延结构。
主权项：1.一种改善器件翘曲的蓝宝石衬底，其特征在于，所述蓝宝石衬底的底面向上开设有至少一个图形化凹槽，所有图形化凹槽的形状为半圆形或者多边形。
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百度查询： 福州镓谷半导体有限公司 一种改善器件翘曲的蓝宝石衬底、外延层和制备方法
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