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申请/专利权人：吕梁学院
摘要：本发明公开了一种钙钛矿氧化物薄膜制备及室温自发正交换偏置方法，包括：首先对SrTiO3衬底进行表面预处理，获得理想的TiO2终端表面；然后采用脉冲激光沉积在预处理衬底上外延生长SmFeO3La0.7Sr0.3MnO3薄膜；最后在室温下施加外磁场，根据不同初始磁化方向，磁滞回线分别偏移到正向或负向磁场方向，从而实现了自发正交换偏置效应及其可逆调控。该发明实现了罕见的室温自发正交换偏置，并可对偏置方向进行调控，在高密度、低功耗、高零敏度自旋电子器件领域具有重要应用前景。
主权项：1.一种钙钛矿氧化物薄膜制备及室温自发正交换偏置方法，其特征在于，包括以下步骤:A对SrTiO3衬底进行表面预处理，获得理想的TiO2终端表面；B在所述预处理后的SrTiO3衬底上，采用脉冲激光沉积方法外延生长SmFeO3La0.7Sr0.3MnO3薄膜，所述SrTiO3为反铁磁层，La0.7Sr0.3MnO3为铁磁层；C在室温下，施加平行于所述SmFeO3La0.7Sr0.3MnO3薄膜表面的外加磁场，当从正向初始磁化方向开始测试磁滞回线时，得到的磁滞回线偏移到正向磁化场方向，实现自发正交换偏置效应；D在室温下，施加平行于所述SmFeO3La0.7Sr0.3MnO3薄膜表面的外加磁场，当从负向初始磁化方向开始测试磁滞回线时，得到的磁滞回线偏移到负向磁化场方向，实现对自发正交换偏置效应方向的可逆调控。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吕梁学院 一种钙钛矿氧化物薄膜制备及室温自发正交换偏置方法
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