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申请/专利权人：深圳市库比克科技有限公司
摘要：本发明涉及化学气相沉积设备技术领域，具体为一种多晶金刚石薄膜生长装置及方法，所述生长装置包括气相沉积柜及控制所述气相沉积柜的控制柜，所述控制柜与所述气相沉积柜电性连接，所述气相沉积柜内设有：固定在所述气相沉积柜内的可分离的沉积腔；与所述沉积腔螺纹连接的升降组件，用于分离或密封所述沉积腔；转动安装在所述沉积腔内的支台，用于放置待生长的衬底；本发明通过在气相沉积柜内设置的旋转机构，解决了衬底材料受热不均的技术问题。具体而言，支台和旋转机构的设计确保了衬底材料在整个生长过程中持续均匀地旋转，使得反应气体能够均匀覆盖衬底表面，从而确保衬底材料在受热时温度分布均匀。
主权项：1.一种多晶金刚石薄膜生长装置，其特征在于，所述生长装置包括气相沉积柜（1）及控制所述气相沉积柜（1）的控制柜（2），所述控制柜（2）与所述气相沉积柜（1）电性连接，所述气相沉积柜（1）内设有：固定在所述气相沉积柜（1）内的可分离的沉积腔（11）；与所述沉积腔（11）螺纹连接的升降组件（12），用于分离或密封所述沉积腔（11）；转动安装在所述沉积腔（11）内的支台（13），用于放置待生长的衬底；与所述支台（13）固定连接，且与所述沉积腔（11）转动连接的旋转机构（14）；以及转动安装在所述支台（13）上的定位组件（15），用于固定所述衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市库比克科技有限公司 多晶金刚石薄膜生长装置及方法
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