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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其版图结构，其中在所述半导体器件的版图结构中，在离子补打区在第二方向上的长度大于或者等于预设值时，将离子补打区设置在浅沟槽隔离结构中并贴齐浅沟槽隔离结构与有源区在第二方向上的交界处；在离子补打区在第二方向上的长度小于预设值时，离子补打区从浅沟槽隔离结构中穿过浅沟槽隔离结构与有源区在第二方向上的交界处延伸进有源区中。因此本发明在离子补打区在第二方向上的长度比较短时，可以通过将离子补打区延伸进有源区中来增加有源区与浅沟槽隔离结构的交界处的离子浓度，以解决半导体器件的双峰问题。
主权项：1.一种半导体器件的版图结构，其特征在于：包括：半导体衬底，其包括被浅沟槽隔离结构包围的有源区；栅极结构，位于所述有源区和所述浅沟槽隔离结构上；第一导电类型漂移区，沿着第二方向间隔设置在所述半导体衬底中，并从所述浅沟槽隔离结构中穿过所述浅沟槽隔离结构与所述有源区在第一方向上的交界处延伸至所述栅极结构的下方，所述第一方向与所述第二方向垂直；离子补打区，位于所述栅极结构下方，在所述离子补打区在第二方向上的长度L大于或者等于预设值时，所述离子补打区位于所述浅沟槽隔离结构中，并贴齐所述浅沟槽隔离结构与所述有源区在第二方向上的交界处；在所述离子补打区在第二方向上的长度L小于预设值时，所述离子补打区从所述浅沟槽隔离结构中穿过所述浅沟槽隔离结构与所述有源区在第二方向上的交界处延伸进所述有源区中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体器件及其版图结构
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