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申请/专利权人：华能(嘉峪关)新能源有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
摘要：本申请提出一种背接触异质结电池及其制作方法，其中，背接触异质结电池包括：衬底，衬底具有相对的向光面和背光面；依次设置于向光面的隧穿氧化层和多晶硅层；依次设置于背光面的隧穿氧化层、多晶硅层和非晶硅发射极层，非晶硅发射极层中包括第一发射极，第一发射极为非晶硅发射极；其中，衬底和多晶硅层的导电类型为第一导电类型，第一发射极的导电类型为第二导电类型。通过在背光面侧的多晶硅层上沉积非晶硅发射极层，可以实现TOPCon技术和HJT技术的结合，提高电池效率。
主权项：1.一种背接触异质结电池，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对的向光面和背光面；依次设置于所述向光面的隧穿氧化层和多晶硅层；依次设置于所述背光面的隧穿氧化层、多晶硅层和非晶硅发射极层，所述非晶硅发射极层中包括第一发射极，所述第一发射极为非晶硅发射极；其中，所述衬底和所述多晶硅层的导电类型为第一导电类型，所述第一发射极的导电类型为第二导电类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华能(嘉峪关)新能源有限公司 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 背接触异质结电池及其制作方法
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