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申请/专利权人:无锡摩芯半导体有限公司
摘要:本发明公开了一种FLASH控制器的预取读缓存的方法,CPU通过AXI总线访问FLASH控制器获取读数据,CPU通过APB配置FLASH控制器,FLASH控制器内设有PreFetchCache预取,用于缓存读数据;PreFetchCache预取支持单通道预取或多通道预取两种模式;多通道预取由CPU通过APB配置预取地址的形式告知FLASH控制器需要进行预取的多个地址,FLASH控制器完成这几个不同的非连续地址的数据预取;单通道预取由FLASH控制器根据预先设置的预取策略来决定预取的一个地址,预取的数据有着连续的地址。本发明用灵活的预取数据的方式实现了高效的总线读访问和不同预取策略对不同读访问场景的适配,同时减少了预取数据空间被污染和颠簸的可能,大部分数据预取在控制器空闲状态时进行,性能损耗小。
主权项:1.一种FLASH控制器的预取读缓存的方法,其特征在于,所述方法包括:CPU通过AXI总线访问FLASH控制器获取读数据,所述CPU通过APB配置FLASH控制器,所述FLASH控制器内设有PreFetchCache预取,用于缓存读数据;所述PreFetchCache预取支持单通道预取或多通道预取两种模式。
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权利要求:
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